The present invention provides a resin-encapsulated semiconductor apparatus
comprising a semiconductor device having a ferroelectric film and a
surface-protective film, and an encapsulant member comprising a resin; the
surface-protective film being formed of a polyimide. The present invention
also provides a process for fabricating a resin-encapsulated semiconductor
apparatus, comprising the steps of forming a film of a polyimide precursor
composition on the surface of a semiconductor device having a
ferroelectric film; heat-curing the polyimide precursor composition film
to form a surface-protective film formed of a polyimide; and
encapsulating, with an encapsulant resin, the semiconductor device on
which the surface-protective film has been formed. The polyimide may
preferably have a glass transition temperature of from 240.degree. C. to
400.degree. C. and a Young's modulus of from 2,600 MPa to 6 GPa. The
curing may preferably be carried out at a temperature of from 230.degree.
C. to 300.degree. C.
Η παρούσα εφεύρεση παρέχει μια ρητίνη-τοποθετημένη σε κάψα συσκευή ημιαγωγών περιλαμβάνοντας μια συσκευή ημιαγωγών που έχει μια σιδηροηλεκτρική ταινία και μια επιφάνεια-προστατευτική ταινία, και ένα encapsulant μέλος περιλαμβάνοντας μια ρητίνη η επιφάνεια-προστατευτική ταινία που διαμορφώνεται ενός polyimide. Η παρούσα εφεύρεση παρέχει επίσης μια διαδικασία για μια ρητίνη-τοποθετημένη σε κάψα συσκευή ημιαγωγών, περιλαμβάνοντας τα βήματα της διαμόρφωσης μιας ταινίας μιας σύνθεσης προδρόμων polyimide στην επιφάνεια μιας συσκευής ημιαγωγών που έχει μια σιδηροηλεκτρική ταινία θερμότητα-θεραπεύοντας την ταινία σύνθεσης προδρόμων polyimide για να διαμορφώσει μια επιφάνεια-προστατευτική ταινία που διαμορφώνεται ενός polyimide και τοποθετώντας, με μια encapsulant ρητίνη, τη συσκευή ημιαγωγών σε κάψα στην οποία η επιφάνεια-προστατευτική ταινία έχει διαμορφωθεί. Το polyimide μπορεί κατά προτίμηση να έχει μια θερμοκρασία μετάβασης γυαλιού από 240.degree. Γ. σε 400.degree. Γ. και έναν συντελεστή των νεολαιών από 2.600 MPa σε 6 GPa. Η θεραπεία μπορεί κατά προτίμηση να πραγματοποιηθεί σε μια θερμοκρασία από 230.degree. Γ. σε 300.degree. γ.
