Nonvolatile ferroelectric memory and method for fabricating the same can reduce fatigue caused by repetitive switching, drop an operation voltage, and increase an operation speed of the nonvolatile ferroelectric memory. The nonvolatile ferroelectric memory includes a plurality of wordlines formed in one direction, and a plurality of a control line and a sensing line pairs formed in a direction crossing the wordlines at fixed intervals. Unit cells of the memory formed at intersections of the wordlines and the control and signal line pairs each have first transistors formed between the control line and the sensing line with a drain coupled to a prescribed voltage. Second transistors in the unit cells have a drain coupled to the sensing line, a source coupled to a source of the first transistor, and a gate coupled to the wordline, and third transistors in the unit cells have a drain coupled to the control line, a source coupled to a gate of the first transistor, and a gate coupled to the wordline. The first transistors can have a gate dielectric film formed of a ferroelectric material.

Η αμετάβλητες σιδηροηλεκτρικές μνήμη και η μέθοδος για το ίδιο πράγμα μπορούν να μειώσουν την κούραση που προκαλείται από την επαναλαμβανόμενη μετατροπή, να ρίξουν μια τάση λειτουργίας, και να αυξήσουν μια ταχύτητα λειτουργίας της αμετάβλητης σιδηροηλεκτρικής μνήμης. Η αμετάβλητη σιδηροηλεκτρική μνήμη περιλαμβάνει μια πολλαπλότητα των wordlines που διαμορφώνονται σε μια κατεύθυνση, και μια πολλαπλότητα των ζευγαριών ελέγχου γραμμών και γραμμών αντίληψης που διαμορφώνονται σε μια κατεύθυνση που διασχίζει τα wordlines σε σταθερά διαστήματα. Τα κύτταρα μονάδων της μνήμης που διαμορφώνεται στις διατομές των wordlines και των ζευγαριών κάθε ένα γραμμών ελέγχου και σημάτων διαμορφώνουν τις πρώτες κρυσταλλολυχνίες μεταξύ της γραμμής ελέγχου και της αισθαμένος γραμμής με έναν αγωγό που συνδέεται με μια ορισμένη τάση. Οι δεύτερες κρυσταλλολυχνίες στα κύτταρα μονάδων συνδέουν έναν αγωγό με την αισθαμένος γραμμή, μια πηγή που συνδέονται με μια πηγή της πρώτης κρυσταλλολυχνίας, και μια πύλη που συνδέεται με το wordline, και οι τρίτες κρυσταλλολυχνίες στα κύτταρα μονάδων συνδέουν έναν αγωγό με τη γραμμή ελέγχου, μια πηγή που συνδέεται με μια πύλη της πρώτης κρυσταλλολυχνίας, και μια πύλη που συνδέεται με το wordline. Οι πρώτες κρυσταλλολυχνίες μπορούν να διαμορφώσουν μια διηλεκτρική ταινία πυλών ενός σιδηροηλεκτρικού υλικού.