A low defect density (Ga,Al,In)N material. The (Ga, Al, In)N material may be of large area, crack-free character, having a defect density as low as 3.times.10.sup.6 defects/cm.sup.2 or lower. Such (Ga,Al,In)N material is useful as a substrate for epitaxial growth of Group III-V nitride device structures thereon.

Una densità bassa di difetto (Ga, Al, materiale di In)N. (Ga, Al, materiale di In)N può essere di grande zona, carattere crepa-libero, avendo una densità di difetto basso quanto 3.times.10.sup.6 defects/cm.sup.2 o abbassarsi. Tali (Ga, Al, materiale di In)N è utile poichè un substrato per sviluppo epitassiale del dispositivo del nitruro del gruppo III-V struttura su ciò.