An integrated circuit configuration, in particular is a DRAM cell configuration, includes a capacitor disposed on a first substrate and a portion with a contact disposed on a second substrate. The first substrate is connected to the second substrate, with the contact adjoining the capacitor. The first substrate and the second substrate can be connected essentially in an unadjusted manner, if capacitor elements are distributed over the first substrate and a contact surface of the contact is so large that when the substrates are connected, the contact in each case adjoins at least one of the capacitor elements, which then defines the capacitor. The capacitor may include a plurality of capacitor elements, which makes its capacitance especially high. A method is also provided for producing the integrated circuit configuration.

Una configurazione del circuito integrato, in particolare è una configurazione delle cellule di DRAM, include un condensatore disposto di su un primo substrato e su una parte con un contatto disposto di su un secondo substrato. Il primo substrato è collegato al secondo substrato, con il contatto che congiunge il condensatore. Il primo substrato ed il secondo substrato possono essere collegati essenzialmente in un modo non regolato, se gli elementi del condensatore sono eccedenza distribuita il primo substrato e una superficie di contatto del contatto è così grande che quando i substrati sono collegati, il contatto in ogni caso congiunge almeno uno degli elementi del condensatore, che allora definisce il condensatore. Il condensatore può includere una pluralità di elementi del condensatore, che rende la relativa capacità particolarmente alta. Un metodo inoltre è fornito per produrre la configurazione del circuito integrato.