Under the conditions in that a germanium film 103 is formed on an amorphous silicon film 102, a first heat treatment (crystallization step) at from 450 to 600.degree. C. is conducted. A second heat treatment is conducted for the resulting polysilicon film 104 at a temperature (from 800 to 1,050.degree. C.) higher than the crystallization temperature. Through these steps, the boundary between the underlayer and silicon is fixed, to obtain a polysilicon film 105 containing substantially no defect in its crystal grain.

Sob as condições nisso uma película 103 do germânio é dada forma em uma película amorfa 102 do silicone, um primeiro tratamento de calor (etapa da cristalização) em 450 a 600.degree. O C. é conduzido. Um segundo tratamento de calor é conduzido para a película resultante 104 do polysilicon em uma temperatura (de 800 a 1,050.degree. C.) mais altamente do que a temperatura da cristalização. Com estas etapas, o limite entre o underlayer e o silicone são fixos, obter uma película 105 do polysilicon que não contem substancialmente nenhum defeito em sua grão de cristal.