Three fundamental and three derived aspects of the present invention are disclosed. The three fundamental aspects each disclose a process sequence that may be integrated in a full process. The first aspect, designated as "latent masking", defines a mask in a persistent material like silicon oxide that is held abeyant after definition while intervening processing operations are performed. The latent oxide pattern is then used to mask an etch. The second aspect, designated as "simultaneous multi-level etching (SMILE)", provides a process sequence wherein a first pattern may be given an advanced start relative to a second pattern in etching into an underlying material, such that the first pattern may be etched deeper, shallower, or to the same depth as the second pattern. The third aspect, designated as "delayed LOCOS", provides a means of defining a contact hole pattern at one stage of a process, then using the defined pattern at a later stage to open the contact holes. The fourth aspect provides a process sequence that incorporates all three fundamental aspects to fabricate an integrated liquid chromatography (LC)/electrospray ionization (ESI) device. The fifth aspect provides a process sequence that incorporates two of the fundamental aspects to fabricate an ESI device. The sixth aspect provides a process sequence that incorporates two of the fundamental aspects to fabricate an LC device. The process improvements described provide increased manufacturing yield and design latitude in comparison to previously disclosed methods of fabrication.

Tres aspectos fundamentales y tres derivados de la actual invención se divulgan. Los tres aspectos fundamentales cada uno divulgan una secuencia de proceso que se pueda integrar en un proceso completo. El primer aspecto, señalado como "enmascarar latente", define una máscara en un material persistente como el óxido del silicio que se sostiene abeyant después de la definición mientras que se realizan las operaciones de proceso que intervienen. El patrón latente del óxido entonces se utiliza para enmascarar un grabado de pistas. El segundo aspecto, señalado como "aguafuerte de niveles múltiples simultánea (SONRISA)", proporciona una secuencia de proceso en donde un primer patrón se puede dar un comienzo avanzado concerniente a un segundo patrón en grabar al agua fuerte en un material subyacente, tal que el primer patrón puede ser más profundo grabado al agua fuerte, más bajo, o a la misma profundidad que el segundo patrón. El tercer aspecto, señalado como "retrasó LOCOS", proporciona medios de definir un patrón del agujero del contacto en una etapa de un proceso, después de usar el patrón definido ulteriormente para abrir los agujeros del contacto. El cuarto aspecto proporciona una secuencia de proceso que incorpore los tres aspectos fundamentales para fabricar una cromatografía líquida integrada (dispositivo de la ionización de LC)/electrospray (ESI). El quinto aspecto proporciona una secuencia de proceso que incorpore dos de los aspectos fundamentales para fabricar un dispositivo de ESI. El sexto aspecto proporciona una secuencia de proceso que incorpore dos de los aspectos fundamentales para fabricar un dispositivo del LC. Las mejoras de proceso descritas proporcionan latitud creciente de la producción y del diseño de la fabricación en la comparación a los métodos previamente divulgados de fabricación.