To form a film by ionized sputtering with good bottom coverage for holes with a high aspect ratio, and to simplify the structure inside and out of the sputter chamber, a target 2 is provided inside a sputter chamber 1 equipped with an exhaust system 11 and is sputtered by a sputtering power source 3. The released sputter particles are made to arrive at a substrate 50 to form a film. The sputtering power source 3 sends electric power of at least 5 W/cm.sup.2 to a target 2, and the sputter particles are ionized in a plasma formed by this electric power alone. A cylindrical shield 6 may be provided between the target 2 and the substrate holder 5 to restrict the plasma formation space, and an electric field establishment means 8 may set up an electric field for extracting the ionized sputter particles from the plasma P and directing them at the substrate 50.

Pour former un film par la pulvérisation ionisée avec la bonne assurance inférieure pour des trous avec un allongement élevé, et pour simplifier la structure à l'intérieur et hors de la chambre de pulvérisation, une cible 2 est intérieur fourni par chambre 1 de pulvérisation équipée d'un dispositif d'échappement 11 et est pulvérisée par une source d'énergie de pulvérisation 3. Libérés pulvérisent des particules sont faits pour arriver à un substrat 50 pour former un film. La source d'énergie de pulvérisation 3 envoie l'énergie électrique au moins de 5 W/cm.sup.2 à une cible 2, et les particules de pulvérisation sont ionisées dans un plasma constitué par cette seule énergie électrique. Un bouclier cylindrique 6 peut être fourni entre la cible 2 et le support 5 de substrat pour limiter l'espace de formation de plasma, et les moyens 8 d'un établissement de champ électrique peuvent installer un champ électrique pour extraire ionisé pulvérisent des particules du plasma P et les diriger au substrat 50.