A method and system for providing a magnetoresistive sensor for reading data from a recording media is disclosed. The method and system include providing a first barrier layer and a second barrier layer and providing a free layer disposed between the first barrier layer and the second barrier layer. The free layer is ferromagnetic. The method and system also include providing a first pinned layer and a second pinned layer. The first pinned layer and the second pinned layer are ferromagnetic. The first barrier layer is disposed between the first pinned layer and one edge of the free layer. The second barrier layer is disposed between the second pinned layer and another edge of the free layer. The method and system also include providing a first antiferromagnetic layer and a second antiferromagnetic layer. The first pinned layer is magnetically coupled to the first antiferromagnetic layer. The second pinned layer is magnetically coupled to the second antiferromagnetic layer. The first barrier layer is sufficiently thin to allow tunneling of charge carriers between the first pinned layer and the free layer. The second barrier layer is sufficiently thin to allow tunneling of charge carriers between the second pinned layer and the free layer. A longitudinal bias current through the tunneling junctions at the two edges of the free layer achieves a large MR ratio.

Показаны метод и система для обеспечивать магниторезистивный датчик для данных по чтения от средств записи. Метод и система вклюают обеспечивать первый слой барьера и второй слой барьера и обеспечивать свободно слой размещанный между первым слоем барьера и вторым слоем барьера. Свободно слой сегнетомагнитен. Метод и система также вклюают обеспечивать первый прикалыванный слой и второй прикалыванный слой. Первое прикололо слой и второй прикалыванный слой сегнетомагнитен. Первый слой барьера размещан между первым прикалыванным слоем и одним краем свободно слоя. Второй слой барьера размещан между вторым прикалыванным слоем и другим краем свободно слоя. Метод и система также вклюают обеспечивать первый antiferromagnetic слой и второй antiferromagnetic слой. Первый прикалыванный слой магнитно соединен к первому antiferromagnetic слою. Второй прикалыванный слой магнитно соединен к второму antiferromagnetic слою. Первый слой барьера достаточно тонок для того чтобы позволить прокладывать тоннель несущих обязанности между первым прикалыванным слоем и свободно слоем. Второй слой барьера достаточно тонок для того чтобы позволить прокладывать тоннель несущих обязанности между вторым прикалыванным слоем и свободно слоем. Продольное косое течение через соединения прокладывать тоннель на 2 краях свободно слоя достигает большого ГА-Н коэффициента.