A piezoelectric device having an electromechanical coefficient, which can be applied to practical uses, is obtained by an energy-trapping effect using a piezoelectric ceramic having a layered perovskite structure provided with high-temperature resistance and little high-frequency loss. The piezoelectric device has a substrate formed of a piezoelectric ceramic having a layered perovskite structure. The c-axis in the substrate is preferentially oriented in the width direction thereof, and the substrate is polarized in the longitudinal direction. Two electrodes are formed on both main surfaces of the substrate so as to oppose each other in the vicinity of the central part thereof. As a material used for the substrate, a piezoelectric ceramic composition primarily composed of a ceramic composition represented by the general formula CaBi.sub.4 Ti.sub.4 O.sub.15 is preferably used.

Un dispositivo piezoeléctrico que tiene un coeficiente electromecánico, que se puede aplicar a las aplicaciones prácticas, es obtenido por un efecto de la energi'a-interceptacio'n usando un de cerámica piezoeléctrico teniendo una estructura acodada del perovskite proporcionada resistencia de alta temperatura y poca pérdida de alta frecuencia. El dispositivo piezoeléctrico tiene un substrato formado de un de cerámica piezoeléctrico teniendo una estructura acodada del perovskite. El c-eje en el substrato se orienta preferencial en la dirección de la anchura de eso, y el substrato se polariza en la dirección longitudinal. Dos electrodos se forman en ambas superficies principales del substrato para oponerse en la vecindad de la parte central de eso. Como material usado para el substrato, una composición de cerámica piezoeléctrica integrada sobre todo por una composición de cerámica representada por el fórmula general CaBi.sub.4 Ti.sub.4 O.sub.15 se utiliza preferiblemente.