A method for chemical-vapor deposition of a material film adds precursor decomposition by-product to the precursor flow to suppress premature gas-phase precursor decomposition and improve process repeatability and film quality. In one embodiment, CVD cobalt films are deposited with carbonyl precursors with reduced premature gas-phase reaction and particulate generation by the addition of excess carbon monoxide to the process chamber comprising the precursor flow. The addition of carbon monoxide not only suppresses gas-phase reaction but also improves cobalt film purity. The addition of excess carbon monoxide to CVD cobalt precursor flow provides repeatable deposition of glue and nucleation layers to support CVD copper, and is extendable to the deposition of high purity CVD cobalt for other applications and with other precursors, and also extendable for CVD CoSi.sub.2 films and other cobalt-containing applications.

Μια μέθοδος για την απόθεση χημικός-ατμού μιας υλικής ταινίας προσθέτει το υποπροϊόν αποσύνθεσης προδρόμων στη ροή προδρόμων για να καταστείλει την πρόωρη αέριο αποσύνθεση προδρόμων και να βελτιώσει την επανάληψη διαδικασίας και την ποιότητα ταινιών. Σε μια ενσωμάτωση, cvd οι ταινίες κοβαλτίου κατατίθενται στους προδρόμους καρβονυλίων με τη μειωμένη πρόωρη αέριο αντίδραση και τη μοριακή παραγωγή από την προσθήκη του υπερβολικού μονοξειδίου άνθρακα στην αίθουσα διαδικασίας περιλαμβάνοντας τη ροή προδρόμων. Η προσθήκη του μονοξειδίου άνθρακα όχι μόνο καταστέλλει αέριο την αντίδραση αλλά και βελτιώνει την αγνότητα ταινιών κοβαλτίου. Η προσθήκη του υπερβολικού μονοξειδίου άνθρακα cvd στη ροή προδρόμων κοβαλτίου παρέχει την επαναλαμβανόμενη απόθεση των στρωμάτων κόλλας και σχηματισμού φύτρων για να υποστηρίξει cvd το χαλκό, και είναι με δυνατότητα επέκτασης στην απόθεση cvd υψηλής αγνότητας του κοβαλτίου για άλλες εφαρμογές και με άλλους προδρόμους, και επίσης με δυνατότητα επέκτασης για cvd CoSi.sub.2 τις ταινίες και άλλες κοβάλτιο-περιέχοντας εφαρμογές.