A gallium-nitride-group compound-semiconductor light-emitting device having
an improved luminous intensity that makes it more suitable for use in the
full-color outdoor display of an advanced performance. A
gallium-nitride-group compound-semiconductor light-emitting device
comprising an n-type layer 3, a light-emitting layer 4 and p-type layers
5, 6, the light-emitting layer 4 is doped with a p-type impurity, Mg for
example, in a certain specific concentration, so a pn junction is formed
within the light-emitting layer 4 and a light emission caused by the
electron transition between conduction band and valence band is obtained.
In a GaN group compound-semiconductor light-emitting device comprising at
least an n-type clad layer 3, a p-type clad layer 5 and a light-emitting
layer formed in between the clad layers 3, 5, stacked on a substrate 1.
The light-emitting layer 4 is structured as a substance of stacked layers
including an n-type layer 41 and a p-type layer 42, or these layers plus
an i-type layer formed in between the layers 41 and 42, so a pn junction
is formed within the light-emitting layer 4 itself. The injection of
electrons and holes into the light-emitting layer 4 is expedited and the
luminous intensity of the light-emitting layer 4 is increased.
Um dispositivo light-emitting do composto-semicondutor do gallium-nitride-grupo que tem uma intensidade luminous melhorada que faça mais apropriado para o uso na exposição ao ar livre da cheio-cor de um desempenho avançado. Um dispositivo light-emitting do composto-semicondutor do gallium-nitride-grupo que compreende um n-tipo camada 3, uma camada light-emitting 4 e p-tipo camadas 5, 6, a camada light-emitting 4 doped com um p-tipo impureza, magnésio para o exemplo, em alguma concentração específica, assim que uma junção do pn é dada forma dentro da camada light-emitting 4 e uma emissão clara causada pela transição do elétron entre a faixa de condução e a faixa do valence é obtida. Em um dispositivo light-emitting do composto-semicondutor do grupo de GaN que compreende ao menos um n-tipo camada clad 3, um p-tipo camada clad 5 e uma camada light-emitting deu forma dentro entre as camadas clad 3, 5, empilhados em uma carcaça 1. A camada light-emitting 4 é estruturada como uma substância de camadas empilhadas including um n-tipo camada 41 e um p-tipo camada 42, ou estas camadas mais um eu-tipo camada dada forma dentro entre as camadas 41 e 42, assim que uma junção do pn é dada forma dentro da camada light-emitting 4 própria. A injeção dos elétrons e dos furos na camada light-emitting 4 é expedida e a intensidade luminous da camada light-emitting 4 é aumentada.
