A laser diode includes a substrate, a lower cladding layer or a lower optical waveguide layer substantially free from Al and provided on the substrate, an active layer of a mixed crystal containing Ga and In as a group III element and N, As and/or P as a group V element, provided on the lower cladding layer; and an upper cladding layer or an upper optical waveguide layer substantially free from Al and provided on the active layer.

Une diode de laser inclut un substrat, une couche inférieure de revêtement ou une couche optique inférieure de guide d'ondes essentiellement exempte d'Al et si sur le substrat, une couche active d'un Ga contenant en cristal mélangé et dedans comme élément du groupe III et N, en tant qu'et/ou P comme élément du groupe V, si sur la couche inférieure de revêtement ; et une couche supérieure de revêtement ou une couche optique supérieure de guide d'ondes essentiellement exempte d'Al et si sur la couche active.