The invention is a semiconductor device, and a method of fabrication, where a waveguide layer in which light is propagated and an integral photodetector are formed in the device. A light absorbing layer of the photodetector includes a portion of the waveguide layer which is modified to absorb a portion of the light while transmitting the remainder of the light. Additional components, such as a laser, optical amplifier and modulator can be included with the photodetector.

L'invenzione è un dispositivo a semiconduttore e un metodo di montaggio, dove uno strato della guida di onde in cui la luce è propagata e un rivelatore fotoelettrico integrale sono formati nel dispositivo. Uno strato assorbente chiaro del rivelatore fotoelettrico include una parte dello strato della guida di onde che è modificato per assorbire una parte della luce mentre trasmette il resto della luce. I componenti, quale un laser, l'amplificatore ottico ed il modulatore supplementari possono essere inclusi con il rivelatore fotoelettrico.