The switching system with MEMS modification of a signal wavefront implements a new type of all-optical signal switching element that uses the coherence properties of electromagnetic radiation, coupled with the materials properties of semiconductors through the application of existing Micro-machined Electro-Mechanical System (MEMS) technology to provide signal switching apparatus that is faster in operation, smaller in size, more robust, and less expensive than existing signal switching elements found in all-optical communication switching systems. This is accomplished by the use of a semiconductor chip that has a MEMS mirror system implemented on its face. The MEMS device is constructed to operate in a pure materials flex mode, with no moving mechanical parts to wear. The MEMS mirror system is used to create local distortions in the reflected and/or transmitted electromagnetic radiation wavefront to redirect the electromagnetic radiation in such a way as to create channels of changed resistance in a bulk semiconductor. These changes in resistance to the channels serve to enhance or impede the motility of electrons through the bulk semiconductor, thereby providing a switching function within the bulk semiconductor. Alternatively, the redirection of the electromagnetic radiation wavefront can be effected via changes in the index of refraction in the bulk semiconductor material.

O sistema do switching com modificação de MEMS de um wavefront do sinal executa um tipo novo de elemento todo-ótico do switching do sinal que usa as propriedades da coerência da radiação eletromagnética, acoplado com as propriedades dos materiais dos semicondutores com a aplicação da tecnologia eletromecânica Micro-feita à máquina existente do sistema (MEMS) para fornecer o instrumento do switching do sinal que é mais rápido na operação, menor no tamanho, mais robust, e mais menos caro do que os elementos existentes do switching do sinal encontrados em sistemas todo-óticos do switching de uma comunicação. Isto é realizado pelo uso de uma microplaqueta do semicondutor que tenha um sistema do espelho de MEMS executado em sua cara. O dispositivo de MEMS é construído para operar-se em uma modalidade pura do cabo flexível dos materiais, com nenhumas peças mecânicas móveis a desgastar. O sistema do espelho de MEMS é usado criar distorções locais no refletido e/ou o wavefront transmitido da radiação eletromagnética para dirigir de novo a radiação eletromagnética em tal maneira a respeito de cría as canaletas da resistência mudada em um semicondutor maioria. Estas mudanças na resistência às canaletas servem realçar ou impedir o motility dos elétrons através do semicondutor maioria, fornecendo desse modo uma função de switching dentro do semicondutor maioria. Alternativamente, o redirection do wavefront da radiação eletromagnética pode ser efetuado através das mudanças no índice de refraction no material maioria do semicondutor.