Regarding an element having a channel width W greater than a pitch P of a pulse laser beam, a direction of the channel width W of a channel region CH is inclined with respect to a direction of a major axis of a line beam LB. Consequently, even if a defective crystallization region R is caused by an nonuniform intensity of an irradiated region in laser annealing forming p-Si of a p-Si TFT LCD, the whole channel width W of the channel region CH does not overlap the defective crystallization region R. Therefore, even if the defective crystallization region R is generated, element characteristics are not affected. Thus, the manufacturing yield of an excellent p-Si LCD can be enhanced.

A respeito de um elemento que tem uma largura W da canaleta mais grande do que um passo P de um feixe de laser do pulso, um sentido da largura W da canaleta de uma região CH da canaleta é inclined com respeito a um sentido de uma linha central principal de uma linha feixe libra. Conseqüentemente, nivele se uma região defeituosa R da cristalização for causada por uma intensidade nonuniform de uma região irradiated no recozimento do laser que dá forma à libra por polegada quadrada de uma libra por polegada quadrada TFT LCD, a largura inteira W da canaleta da região CH da canaleta não sobrepõe a região defeituosa R da cristalização. , nivele conseqüentemente se a região defeituosa R da cristalização for gerada, características do elemento não são afetados. Assim, o rendimento do manufacturing de uma libra por polegada quadrada excelente LCD pode ser realçado.