A pMOS EEPROM cell includes a source, drain, channel, control gate and well contact. The device is a fully functional single element p-type floating gate MOSFET. A floating gate overlaps the well contact and completely surrounds the drain and source implants. The pMOS cell is written to by means of hot-electron injection, using an intrinsic feedback mechanism to write analog values. Hot electrons are generated in the channel by means of hole impact ionization at the transistor's drain. The pMOS cell is erased by Fowler-Nordheim tunneling. The tunneling voltage is applied only to the well to tunnel electrons from the floating gate. The well-source and well-drain junctions are protected from breakdown by means of guard rings.

Une cellule de PMOS EEPROM inclut une source, un drain, un canal, une porte de commande et un contact de puits. Le dispositif est un p-type simple entièrement fonctionnel transistor MOSFET flottant d'élément de porte. Une porte flottante recouvre le contact bon et entoure complètement le drain et les implants de source. La cellule de PMOS est écrite à au moyen de l'injection d'chaud-électron, en utilisant un mécanisme intrinsèque de rétroaction pour écrire des valeurs analogues. Des électrons chauds sont produits dans le canal au moyen d'ionisation d'impact de trou au drain du transistor. La cellule de PMOS est effacée par le perçage d'un tunnel de Fowler-nordheim. La tension de perçage d'un tunnel est appliquée seulement au bien aux électrons de tunnel à partir de la porte flottante. La bien-source et bien-vidangent des jonctions sont protégées contre la panne au moyen d'anneaux de garde.