The present invention discloses a method for forming a gate for semiconductor devices by depositing a TaO.sub.x N.sub.y film as a gate oxide film. The method includes the steps of providing a semiconductor substrate where a device isolation film has been formed, growing an SiO.sub.2 or SiON film on the semiconductor substrate, depositing an amorphous TaO.sub.x N.sub.y film on the SiO.sub.2 or SiON film, performing a low temperature annealing process to improve quality of the amorphous TaO.sub.x N.sub.y film, performing a high temperature annealing process ex-situ to remove organic substances and nitrogen in the amorphous TaO.sub.x N.sub.y film, and crystallize the amorphous TaO.sub.x N.sub.y film, and depositing a metal barrier film on the crystallized TaO.sub.x N.sub.y film, and depositing a polysilicon film or metal film for a gate electrode on the metal barrier film.

La presente invenzione rileva un metodo per formare un cancello per i dispositivi a semiconduttore depositando una pellicola di TaO.sub.x N.sub.y come pellicola dell'ossido del cancello. Il metodo include i punti di fornire un substrato a semiconduttore in cui una pellicola di isolamento del dispositivo è stata formata, sviluppanti una pellicola di SiON o di SiO.sub.2 sul substrato a semiconduttore, depositante una pellicola amorfa di TaO.sub.x N.sub.y sulla pellicola di SiON o di SiO.sub.2, realizzante un processo di ricottura di temperatura insufficiente per migliorare la qualità della pellicola amorfa di TaO.sub.x N.sub.y, effettuante un processo a temperatura elevata di ricottura ex-situ per rimuovere le sostanze organiche e l'azoto nella pellicola amorfa di TaO.sub.x N.sub.y e cristallizza la pellicola amorfa di TaO.sub.x N.sub.y e depositare una pellicola della barriera del metallo sulla pellicola cristallizzata di TaO.sub.x N.sub.y e depositare una pellicola del polysilicon o la pellicola del metallo per un elettrodo di cancello sulla pellicola della barriera del metallo.