An improved capacitor is formed by a process where an improved node dielectric layer is formed with an improved dielectric constant by performing an Free Radical Enhanced Rapid Thermal Oxidation (FRE RTO) step during formation of the node dielectric layer. Use of an FRE RTO step instead of the conventional furnace oxidation step produces a cleaner oxide with a higher dielectric constant and higher capacitance. Other specific embodiments of the invention include improved node dielectric layer by one or more additional nitridation steps, done by either Remote Plasma Nitridation (RPN), Rapid Thermal Nitridation (RTN), Decoupled Plasma Nitridation (DPN) or other nitridation method; selective oxidation; use of a metal layer rather than a SiN layer as the dielectric base; and selective oxidation of the metal layer.

Ein verbesserter Kondensator wird durch einen Prozeß gebildet, in dem eine verbesserte dielektrische Schicht des Nullpunktes mit einer verbesserten Dielektrizitätskonstante gebildet wird, indem man einen freies Radikal-erhöhten schnellen thermischen Oxidation (FRE RTO) Schritt während der Anordnung der Nullpunktnichtleiterschicht durchführt. Gebrauch von einem FRE RTO Schritt anstelle vom herkömmlichen Ofenoxidation Schritt produziert ein saubereres Oxid mit einer höheren Dielektrizitätskonstante und einer höheren Kapazitanz. Andere spezifische Verkörperungen der Erfindung schließen verbesserte dielektrische Schicht des Nullpunktes durch einen oder mehr zusätzlichen nitridation Schritte ein, erfolgt entweder durch Remoteplasma Nitridation (RPN), schnelles thermisches Nitridation (ATR), entkoppeltes Plasma Nitridation (DPN) oder andere nitridation Methode; vorgewählte Oxidation; Gebrauch von einer Metallschicht anstatt eine Sünde Schicht als die dielektrische Unterseite; und vorgewählte Oxidation der Metallschicht.