A drop-in test structure fabricated upon a production integrated circuit elevational profile and a method for using the drop-in test structure for characterizing an integrated circuit production methodology are described. The test structure may be fabricated upon an integrated circuit elevational profile formed according to a subset of steps within a sequence of steps of the integrated circuit production methodology that culminates in a production integrated circuit intended for use by a consumer. According to an embodiment, the integrated circuit elevational profile may be fabricated according to a majority of the sequence of steps. Alternatively, the integrated circuit elevational profile may be fabricated according to a minority of the sequence of steps. The test structure may be fabricated upon die sites designated to receive the test structure. Alternatively, the test structure may be fabricated upon die sites otherwise intended for operable integrated circuits. In an embodiment, test structures may be fabricated upon only selected die sites. Alternatively, test structures may be fabricated across the entire wafer to characterize spatial variation in process parameters. The test structures may be used to characterize the underlying elevational profile and to identify both systematic and random defects either as part of routine monitoring or in response to the observance of defective chips using other monitoring.

A gota-en la estructura de la prueba fabricada sobre un perfil elevador del circuito integrado de la producción y un método para usar gota-en la estructura de la prueba para caracterizar una metodología de la producción del circuito integrado se describen. La estructura de la prueba se puede fabricar sobre un perfil elevador del circuito integrado formado según un subconjunto de pasos dentro de una secuencia de pasos de la metodología de la producción del circuito integrado que culmina en un circuito integrado de la producción previsto para el uso por un consumidor. Acordando a una encarnación, el perfil elevador del circuito integrado puede ser el acordar fabricado a una mayoría de la secuencia de pasos. Alternativomente, el perfil elevador del circuito integrado puede ser el acordar fabricado a una minoría de la secuencia de pasos. La estructura de la prueba se puede fabricar sobre los sitios del dado señalados para recibir la estructura de la prueba. Alternativomente, la estructura de la prueba se puede fabricar sobre los sitios del dado previstos de otra manera para los circuitos integrados operables. En una encarnación, pruebe las estructuras puede ser fabricado sobre solamente sitios seleccionados del dado. Alternativomente, las estructuras de la prueba se pueden fabricar a través de la oblea entera para caracterizar la variación espacial en parámetros de proceso. Las estructuras de la prueba se pueden utilizar para caracterizar el perfil elevador subyacente y para identificar defectos sistemáticos y al azar como parte de la rutina que supervisa o en respuesta a la observancia de virutas defectuosas usando la otra supervisión.

 
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< Immunogenic conjugates comprising a Group B meningococcal porin and an H influenzae polysaccharide

> Compositions containing a high percent saturation concentration of antibacterial agent

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