A method and apparatus is provided for inspecting a semiconductor wafer for field-to-field critical dimension (CD) variations using statistical techniques, such that an optimal number of fields on the wafer under inspection are measured, thereby increasing the accuracy of the results of the inspection procedure and avoiding unnecessary sampling. Embodiments include randomly selecting a predetermined number of fields on a semiconductor wafer to be inspected, and measuring the CD of a comparable feature in each of the sample fields, as by a critical dimension scanning electron microscope (CD-SEM). A statistical function, such as an average or standard deviation, of the measured CDs is calculated. Further fields are the randomly selected, CDs measured, and the running average or standard deviation calculated after each CD is measured. If the last acquired CD does not change the average or standard deviation by a predetermined amount, the inspection procedure for the wafer under inspection is terminated. Otherwise, the random field sampling, CD measurement and running average or standard deviation calculation continues. Because the number of fields to be sampled is not fixed, sampling continues as necessary without oversampling or undersampling, thereby obtaining statistically accurate results and increasing production throughput.

Un metodo e un apparecchio è fornito per il controllo della cialda a semiconduttore per le variazioni critiche di dimensione del campo-$$$-CAMPO (CD) usando le tecniche statistiche, tali che un numero ottimale di campi sulla cialda sotto controllo è misurato, quindi aumentante l'esattezza dei risultati della procedura di controllo ed evitante il campione inutile. I Metodi di realizzazione includono a caso la selezione del numero predeterminato di campi su una cialda a semiconduttore per essere controllato e la misurazione del CD di una caratteristica paragonabile in ciascuno dei campi campione, come da un microscopio elettronico a scansione critico di dimensione (CD-SEM). Una funzione statistica, quale uno scarto quadratico medio medio o, del CDs misurato è calcolata. Ulteriori campi sono selezionata a caso, CDs misurato e lo scarto quadratico medio medio o corrente calcolato dopo ogni CD è misurato. Se l'ultimo CD acquistato non cambia lo scarto quadratico medio medio o da un importo predeterminato, la procedura di controllo per la cialda sotto controllo è terminata. Altrimenti, calcolo di scarto quadratico medio medio o il campione del campo, di misura del CD e di funzionamento casuali continua. Poiché il numero di campi da provare non è fisso, provare continua come necessario senza oversampling o undersampling, quindi ottenendo statisticamente rendimento di produzione esatta aumentare e di risultati.