A novel capacitively coupled NDR device can be used to implement a variety of semiconductor circuits, including high-density SRAM cells and power thyristor structures. In one example embodiment, the NDR device is used as a thin vertical PNPN structure with capacitively-coupled gate-assisted turn-off and turn-on mechanisms. An SRAM based on this new device is comparable in cell area, standby current, architecture, speed, and fabrication process to a DRAM of the same capacity. In one embodiment, an NDR-based SRAM cell consists of only two elements, has an 8F.sup.2 footprint, can operate at high speeds and low voltages, has a good noise-margin, and is compatible in fabrication process with main-stream CMOS. This cell significantly reduces standby power consumption compared to other type of NDR-based SRAMs.

Eine verbundene NDR Vorrichtung des Romans capacitively kann benutzt werden, um eine Vielzahl der Halbleiterstromkreise, einschließlich mit hoher Dichte SRAM Zellen und Energie Thyristorstrukturen einzuführen. In einer Beispielverkörperung wird die NDR Vorrichtung wie eine dünne Struktur der Vertikale PNPN mit capacitively-verbundenen Gatter-unterstützten turn-off und turn-on Einheiten benutzt. Ein SRAM, das auf dieser neuen Vorrichtung basiert, ist im Zelle Bereich, im Bereitschaftsstrom, in der Architektur, in der Geschwindigkeit und im Herstellung Prozeß mit einem DRAM der gleichen Kapazität vergleichbar. In einer Verkörperung besteht eine NDR-gegründete SRAM Zelle aus nur zwei Elementen, hat einen Abdruck 8F.sup.2, kann mit hohen Geschwindigkeiten und Niederspannungen funktionieren, hat einen guten Geräusch-Seitenrand, und ist im Herstellung Prozeß mit Mainstream CMOS kompatibel. Diese Zelle verringert erheblich den Reserveleistung Verbrauch, der mit anderer Art NDR-gegründetes SRAMs verglichen wird.