The invention relates to a method for producing structures on the surface of a semiconductor wafer, in which after the generation of a primary layout corresponding to the structures to be produced in accordance with predetermined desired physical parameters of the structures, calculation of the parasitic fault parameters that would result from the semiconductor structures after production using the primary layout, correction of the layout to suit the results of the step of calculating the parasitic fault parameters, and production of a mask based on the layout that has been corrected to suit the parasitic fault parameters, the surface of a semiconductor wafer is structured using an etching process. The structuring process leads to production- or technology-dictated deviations from the shapes that are produced on the mask based on the corrected layout, and the primary layout is corrected on the basis of the production- or technology-dictated deviations of the structures.

Η εφεύρεση αφορά μια μέθοδο για τις δομές στην επιφάνεια μιας γκοφρέτας ημιαγωγών, στην οποία μετά από την παραγωγή ενός αρχικού σχεδιαγράμματος που αντιστοιχεί στις δομές που παράγονται σύμφωνα με τις προκαθορισμένες επιθυμητές φυσικές παραμέτρους των δομών, ο υπολογισμός των παρασιτικών παραμέτρων ελαττωμάτων που θα προέκυπταν από τις δομές ημιαγωγών μετά από την παραγωγή χρησιμοποιώντας το αρχικό σχεδιάγραμμα, η διόρθωση του σχεδιαγράμματος για να ταιριάξουν τα αποτελέσματα του βήματος του υπολογισμού των παρασιτικών παραμέτρων ελαττωμάτων, και η παραγωγή μιας μάσκας βάσισαν στο σχεδιάγραμμα που έχει διορθωθεί για να ταιριάξει τις παρασιτικές παραμέτρους ελαττωμάτων, η επιφάνεια μιας γκοφρέτας ημιαγωγών είναι δομημένη χρησιμοποιώντας μια διαδικασία χαρακτικής. Οι μόλυβδοι διαδικασίας δόμησης στην παραγωγή - ή τεχνολογία-υπαγορευμένες αποκλίσεις από τις μορφές που παράγονται στη μάσκα βασισμένη στο διορθωμένο σχεδιάγραμμα, και το αρχικό σχεδιάγραμμα διορθώνεται βάσει της παραγωγής - ή τις τεχνολογία-υπαγορευμένες αποκλίσεις των δομών.