A spin valve sensor achieves a high GMR coefficient through the use of a buffer layer inserted between the anti ferromagnetic (AFM) and first anti-parallel (AP) pinned layer. The buffer layer is preferably formed of a NiFeX alloy, where X is selected from elements including Nb, Mo, Cr, and Ta. The buffer layer a decreases degradation of a pinning field that occurs when the materials of the AFM layer and first AP-pinned layer intermix during an annealing process. The NiFeX buffer layer provides a buffer to the intermixing of the AFM and first AP-pinned layers. The buffer layer of the present invention is preferably formed with a strong face-centered cubic (FCC) texture having a (111) crystallographic plane parallel to an underlying substrate. A Mn based alloy antiferromagnetic layer and a CoFe AP-pinned layer may be used together with the buffer layer.

Une sonde de valve de rotation réalise un coefficient élevé de GMR par l'utilisation d'une couche d'amortisseur insérée entre (AP) la couche goupillée anti-parallèle anti ferromagnétique (AFM) et première. La couche d'amortisseur est de préférence constituée d'un alliage de NiFeX, où X est choisi parmi des éléments comprenant la NOTA:, le MOIS, le Cr, et le Ta. La couche d'amortisseur une dégradation de diminutions d'un champ goupillant qui se produit quand les matériaux de l'AFM posent et la première couche AP-GOUPILLÉE entremêlent pendant un procédé de recuit. La couche d'amortisseur de NiFeX fournit un amortisseur à l'entremêlement de l'AFM et des premières couches AP-GOUPILLÉES. Couche d'amortisseur de la présente invention est de préférence formée avec une texture (FCC) cubique face au centre forte ayant l'avion cristallographique de a (la 111) parallèle à un substrat fondamental. Une couche antiferromagnetic d'alliage basée par manganèse et une couche AP-GOUPILLÉE par CoFe peuvent être employées ainsi que la couche d'amortisseur.