A method and apparatus for monitoring process state using plasma attributes are provided. Electromagnetic emissions generated by a plasma are collected, and a detection signal having at least one frequency component is generated based on the intensity of the collected electromagnetic emissions; or, the RF power delivered to a wafer pedestal is monitored and serves as the detection signal. The magnitude of at least one frequency component of the detection signal then is monitored over time. By monitoring the magnitude of at least one frequency component of the detection signal over time, a characteristic fingerprint of the plasma process is obtained. Features within the characteristic fingerprint provide process state information, process event information and process chamber information. In general, any chemical reaction having an attribute that varies with reaction rate may be similarly monitored.

Une méthode et un appareil pour surveiller l'état de processus employant des attributs de plasma sont fournis. Des émissions électromagnétiques produites par un plasma sont rassemblées, et un signal de détection ayant au moins un composant de fréquence est produit a basé sur l'intensité des émissions électromagnétiques rassemblées ; ou, la puissance de rf fournie à un piédestal de gaufrette est surveillée et sert de signal de détection. L'importance au moins d'un composant de fréquence du signal de détection alors est surveillée avec le temps. En surveillant l'importance au moins d'un composant de fréquence du signal de détection avec le temps, une empreinte digitale caractéristique du processus de plasma est obtenue. Les dispositifs dans l'empreinte digitale caractéristique fournissent l'information de processus d'état, l'information d'événement de processus et des informations de chambre de processus. En général, n'importe quelle réaction chimique ayant un attribut qui change avec le taux de réaction peut être pareillement surveillée.