In general, the present disclosure pertains to a method for removing photoresist from locations on a semiconductor structure where its presence is undesired. In one embodiment, a method is disclosed for descumming residual photoresist material from areas where it is not desired after patterning of the photoresist. In another embodiment, a misaligned patterned photoresist is stripped from a semiconductor substrate surface. In particular, the method comprises exposing the semiconductor structure to a plasma generated from a source gas comprising NH.sub.3. A substrate bias voltage is utilized in both methods in order to produce anisotropic etching. In the descumming embodiment, the critical dimensions of the patterned photoresist are maintained. In the photoresist stripping embodiment, a patterned photoresist is removed without adversely affecting a partially exposed underlying layer of an organic dielectric.

In generale, la rilevazione attuale appartiene un metodo per la rimozione del photoresist dalle posizioni su una struttura a semiconduttore dove la relativa presenza è indesiderata. In un incorporamento, un metodo è rilevato per descumming il materiale residuo del photoresist dalle zone dove non è voluto dopo il modello del photoresist. In un altro incorporamento, un photoresist modellato mal allineato è messo a nudo da una superficie del substrato a semiconduttore. In particolare, il metodo contiene esporre la struttura a semiconduttore ad un plasma generato da un gas di fonte che contiene NH.sub.3. Una tensione di polarizzazione del substrato è utilizzata in entrambi i metodi per produrre acquaforte anisotropa. Nell'incorporamento descumming, le dimensioni critiche del photoresist modellato sono effettuate. Nell'incorporamento mettente a nudo del photoresist, un photoresist modellato è rimosso senza avversamente interessare uno strato di fondo parzialmente esposto di un dielettrico organico.