A field emission device comprises an anode plate, an emitter plate having a plurality of filed emission portions that face the anode plate, and a gate plate having openings corresponding to the filed emission portions. The field emission device also comprises a current limiting element composed of a J FET or a MOSFET that is integrally formed with the gate plate and that is inserted between the gate plate and a gate voltage supply terminal. The loss caused by the emitter current is small as the current limiting element is inserted into a gate input portion. If the field emission device including a number of blocks each having the above structure is constituted, a power switching device having sufficient redundancy against a short circuit between the gate and the emitter can be implemented.

Um dispositivo da emissão do campo compreende uma placa do ânodo, uma placa do emissor que têm um plurality das parcelas arquivadas da emissão que enfrentam a placa do ânodo, e uma placa da porta que tem aberturas corresponder às parcelas arquivadas da emissão. O dispositivo da emissão do campo compreende também um elemento limitando atual composto de um FET de J ou de um MOSFET que sejam dados forma integralmente com a placa da porta e que seja introduzido entre a placa da porta e um terminal da fonte da tensão da porta. A perda causada pela corrente do emissor é pequena porque o elemento limitando atual é introduzido em uma parcela da entrada de porta. Se o dispositivo including um número de blocos cada um da emissão do campo que tem a estrutura acima for constituído, um dispositivo do switching do poder que tem a redundância suficiente de encontro a um curto-circuito entre a porta e o emissor pode ser executado.