A fusible link for a semiconductor device comprises an insulating substrate and a conductive line pair on the surface of the insulating substrate, with the conductive line pair having spaced ends. A polymer is disposed over the insulating substrate and between the conductive line pair ends. The polymer is capable of being changed from a non-conductive to a conductive state upon exposure to an energy beam. Preferably, the polymer comprises a polyimide, more preferably, a polymer/onium salt mixture, most preferably, a polyaniline polymer doped with a triphenylsufonium salt. The link may further comprise a low k nanopore/nanofoam dielectric material adjacent the conductive line ends.

Uma ligação fundível para um dispositivo de semicondutor compreende uma carcaça isolando e uma linha par condutora na superfície da carcaça isolando, com a linha par condutora que espaça extremidades. Um polímero é excesso disposto a carcaça isolando e entre a linha condutora extremidades do par. O polímero é capaz da mudança de um non-conductive a um estado condutor em cima da exposição a um feixe da energia. Preferivelmente, o polímero compreende um polyimide, mais preferivelmente, uma mistura de sal de polymer/onium, o mais preferivelmente, um polímero do polyaniline doped com um sal do triphenylsufonium. A ligação pode mais mais compreender um material dieléctrico baixo de k nanopore/nanofoam adjacente a linha condutora extremidades.