In one aspect, the invention includes a semiconductor processing method comprising a) forming a metal silicide layer over a substrate; b) depositing a layer comprising silicon, nitrogen and oxygen over the metal silicide layer; and c) while the layer comprising silicon, nitrogen and oxygen is over the metal silicide layer, annealing the metal silicide layer. In another aspect, the invention includes a gate stack forming method, comprising a) forming a polysilicon layer over a substrate; b) forming a metal silicide layer over the polysilicon layer; c) depositing an antireflective material layer over the metal silicide layer; d) forming a silicon nitride layer over the antireflective material layer; e) forming a layer of photoresist over the silicon nitride layer; f) photolithographically patterning the layer of photoresist to form a patterned masking layer from the layer of photoresist; and g) transferring a pattern from the patterned masking layer to the silicon nitride layer, antireflective material layer, metal silicide layer and polysilicon layer to pattern the silicon nitride layer, antireflective material layer, metal silicide layer and polysilicon layer into a gate stack. In yet other aspects, the invention encompasses circuitry and gate stacks.

In één aspect, omvat de uitvinding een halfgeleiderverwerkingsprocédé bestaand uit a) vormt een metaalsilicide laag over een substraat; b) het deponeren van een laag die uit silicium, stikstof en zuurstof meer dan de metaalsilicide laag bestaat; en c) terwijl de laag die uit silicium, stikstof en zuurstof bestaat meer dan de metaalsilicide laag is, die de metaalsilicide laag onthardt. In een ander aspect, omvat de uitvinding een poortstapel vormt methode, bestaand uit a) vormt een polysilicon laag over een substraat; b) het vormen van een metaalsilicide laag meer dan de polysilicon laag; c) het deponeren van een antireflective materiële laag meer dan de metaalsilicide laag; d) het vormen van een laag van het siliciumnitride meer dan de antireflective materiële laag; e) het vormen van een laag van photoresist meer dan de laag van het siliciumnitride; f) photolithographically vormend de laag van photoresist om een gevormde maskerende laag van de laag van photoresist te vormen; en g) overbrengend een patroon van de gevormde maskerende laag aan de laag van het siliciumnitride, antireflective materiële laag, metaalsilicide laag en polysilicon laag om de laag van het siliciumnitride, antireflective materiële laag, metaalsilicide laag en polysilicon laag in een poortstapel te vormen. In nog andere aspecten, omringt de uitvinding schakelschema en poortstapels.