A method for growing arrays of large-area device-size films of step-free (i.e., atomically flat) SiC surfaces for semiconductor electronic device applications is disclosed. This method utilizes a lateral growth process that better overcomes the effect of extended defects in the seed crystal substrate that limited the obtainable step-free area achievable by prior art processes. The step-free SiC surface is particularly suited for the heteroepitaxial growth of 3C (cubic) SiC, AlN, and GaN films used for the fabrication of both surface-sensitive devices (i.e., surface channel field effect transistors such as HEMT's and MOSFET's) as well as high-electric field devices (pn diodes and other solid-state power switching devices) that are sensitive to extended crystal defects.

Eine Methode für das Wachsen von von Reihen Großbereich Vorrichtung-Größe Filmen der Schritt-freien (d.h., atomar flach) SiC Oberflächen für Anwendungen elektronische Vorrichtung des Halbleiters wird freigegeben. Diese Methode verwendet einen seitlichen Wachstumprozeß, dem besser den Effekt der ausgedehnten Defekte im Impfkristallsubstrat überwindt, das den erreichbaren Schritt-freien Bereich begrenzte, der durch Prozesse der vorherigen kunst erreichbar ist. Die Schritt-freie SiC Oberfläche wird besonders für das heteroepitaxial Wachstum von 3C (die Kubik) SiC, AlN und GaN Filme entsprochen, die für die Herstellung beider Oberfläche-empfindlichen Vorrichtungen benutzt werden (d.h. auf, fangen Oberflächenführung Effekttransistoren wie HEMT's und MOSFET's), sowie hoch-elektrisch auffangen Vorrichtungen (pn Dioden und andere Festkörperenergie Schaltung Vorrichtungen) die für ausgedehnte Kristalldefekte empfindlich sind.