There are provided a semiconductor light emitting device using high-quality
and high-performance nitride III-V compound semiconductors which can
reduce the threshold current density and operation voltage, and can
shorten the emission wavelength to the ultraviolet range and a
semiconductor device using nitride III-V compound semiconductors excellent
in electric property and optical property and having a high band gap. In a
GaN semiconductor light emitting device, desired layers among a plurality
of semiconductor layers forming its light emitting structure are made of
nitride III-V compound semiconductors containing B while limiting the B
composition not higher than 0.3. More specifically, sequentially stacked
on a c-plane sapphire substrate are, via a B.sub.0.05 Ga.sub.0.95 N buffer
layer, a B.sub.0.05 Ga.sub.0.95 N layer, n-type B.sub.0.02 Al.sub.0.03
Ga.sub.0.95 N cladding layer, n-type GaN optical guide layer, active layer
having a MQW structure including quantum well layers of Ga.sub.0.85
In.sub.0.15 N, p-type B.sub.0.1 Ga.sub.0.9 N cap layer, p-type GaN optical
guide layer, p-type B.sub.0.02 Al.sub.0.03 Ga.sub.0.95 N cladding layer
and p-type B.sub.0.02 Ga.sub.0.96 N contact layer.
É fornecido um dispositivo emitindo-se claro do semicondutor usando os semicondutores compostos de alta qualidade e high-performance do nitride III-V que podem reduzir a tensão da densidade atual e da operação do ponto inicial, e pode encurtar o wavelength da emissão à escala ultravioleta e um dispositivo de semicondutor usando os semicondutores compostos do nitride III-V excelentes na propriedade elétrica e na propriedade ótica e tendo uma abertura elevada da faixa. Em um dispositivo emitindo-se claro do semicondutor de GaN, as camadas desejadas entre um plurality das camadas do semicondutor que dão forma a sua estrutura emitindo-se clara são feitas dos semicondutores compostos do nitride III-V que contêm B ao limitar a composição não mais altamente de 0.3 de B. Mais especificamente, empilhado sequencialmente em uma carcaça do sapphire do c-plano seja, através de uma camada do amortecedor de B.sub.0.05 Ga.sub.0.95 N, uma camada de B.sub.0.05 Ga.sub.0.95 N, n-tipo camada do cladding de B.sub.0.02 Al.sub.0.03 Ga.sub.0.95 N, n-tipo camada ótica da guia de GaN, camada ativa que têm uma estrutura de MQW including camadas do poço do quantum de Ga.sub.0.85 In.sub.0.15 N, p-tipo camada do tampão de B.sub.0.1 Ga.sub.0.9 N, p-tipo camada ótica da guia de GaN, p-tipo camada do cladding de B.sub.0.02 Al.sub.0.03 Ga.sub.0.95 N e p-tipo camada do contato de B.sub.0.02 Ga.sub.0.96 N.
