A semiconductor device having a thyristor-based memory device exhibits improved stability under adverse operating conditions related to temperature, noise, electrical disturbances and light. In one particular example embodiment of the present invention, a semiconductor device includes a thyristor-based memory device that uses a shunt between a base and emitter region in a thyristor that effects a leakage current in the thyristor. The thyristor includes a capacitively coupled control port and anode and cathode end portions. Each of the end portions has an emitter region and an adjacent base region, and the current shunt is located between the emitter and base region of one of the end portions of the thyristor. The current shunt is configured and arranged to shunt low-level current between the emitter region and the adjacent base region, and in doing so improves the ability of the device to operate under adverse conditions that would, absent the shunt, result in inadvertent turn on, while keeping the standby current of the memory device to an acceptably low level.

Un dispositivo a semiconduttore che ha un dispositivo di memoria tiristore-basato esibisce la stabilità migliorata nelle condizioni di gestione avverse relative alla temperatura, al rumore, alle dispersioni elettriche ed alla luce. In un metodo di realizzazione particolare di esempio di presente invenzione, un dispositivo a semiconduttore include un dispositivo di memoria tiristore-basato che usa uno shunt fra una base e una regione dell'emettitore in un tiristore che effettua una corrente di perdita nel tiristore. Il tiristore include un orificio capacitively coppia di controllo e le parti terminali del catodo e dell'anodo. Ciascuna delle parti terminali ha una regione dell'emettitore e una regione bassa adiacente e lo shunt corrente è situato fra l'emettitore e la regione della base di una delle parti terminali del tiristore. Lo shunt corrente è configurato ed organizzato per derivare la corrente a basso livello fra la regione dell'emettitore e la regione bassa adiacente ed in tal modo migliora la capacità del dispositivo di funzionare nelle circostanze avverse che, assente lo shunt, provoca eventuale si gira sopra, mentre mantiene la corrente standby del dispositivo di memoria verso un livello passabilmente basso.