The integrated memory has memory cells with a magnetoresistive storage effect in a memory cell array in the form of a matrix. The memory cells are each connected between one of the column lines and one of the row lines. The column lines are each connected to a read amplifier for reading a data signal from a memory cell. The read amplifier has an operational amplifier with feedback, and a first control input connected to one of the column lines. A capacitor is connected between a second control input of the operational amplifier and a terminal for a supply potential and is used to compensate for any offset voltage at the control inputs of the operational amplifier. This allows a data signal which is to be read from one of the memory cells to be detected comparatively reliably.

Η ενσωματωμένη μνήμη έχει τα κύτταρα μνήμης με μια magnetoresistive επίδραση αποθήκευσης σε μια σειρά κυττάρων μνήμης υπό μορφή μήτρας. Τα κύτταρα κάθε ένα μνήμης συνδέονται μεταξύ μιας από τις γραμμές στηλών και μιας από τις γραμμές σειρών. Οι γραμμές κάθε μια στηλών συνδέονται με έναν διαβασμένο ενισχυτή για την ανάγνωση ενός σήματος στοιχείων από ένα κύτταρο μνήμης. Ο διαβασμένος ενισχυτής συνδέει έναν λειτουργικό ενισχυτή με την ανατροφοδότηση, και μια πρώτη εισαγωγή ελέγχου με μια από τις γραμμές στηλών. Ένας πυκνωτής συνδέεται μεταξύ μιας δεύτερης εισαγωγής ελέγχου του λειτουργικού ενισχυτή και ενός τερματικού για μια δυνατότητα ανεφοδιασμού και χρησιμοποιείται για να αντισταθμίσει οποιαδήποτε αντισταθμισμένη τάση στις εισαγωγές ελέγχου του λειτουργικού ενισχυτή. Αυτό επιτρέπει ένα σήμα στοιχείων που πρόκειται να διαβαστεί από ένα από τα κύτταρα μνήμης που ανιχνεύονται συγκριτικά σοβαρά.