The present invention is embodied in high performance p-type thermoelectric materials having enhanced thermoelectric properties and the methods of preparing such materials. In one aspect of the invention, p-type semiconductors of formula Zn.sub.4-x A.sub.x Sb.sub.3-y B.sub.y wherein 0.ltoreq.x.ltoreq.4, A is a transition metal, B is a pnicogen, and 0.ltoreq.y.ltoreq.3 are formed for use in manufacturing thermoelectric devices with substantially enhanced operating characteristics and improved efficiency. Two methods of preparing p-type Zn.sub.4 Sb.sub.3 and related alloys of the present invention include a crystal growth method and a powder metallurgy method.

De onderhavige uitvinding wordt opgenomen in hoge prestaties p-type thermo-elektrische materialen hebben verbeterdd thermo-elektrische eigenschappen en de methodes om dergelijke materialen voor te bereiden. In één aspect van de uitvinding, p-type halfgeleiders van formule zn.sub.4-X A.sub.x sb.sub.3-Y B.sub.y waarin 0.ltoreq.x.ltoreq.4, A een overgangsmetaal is, is B een pnicogen, en 0.ltoreq.y.ltoreq.3 worden gevormd voor gebruik in de productie van thermo-elektrische apparaten met wezenlijk verbeterde werkende kenmerken en betere efficiency. Twee methodes om p-type Zn.sub.4 Sb.sub.3 en verwante legeringen van de onderhavige uitvinding voor te bereiden omvatten een methode van de kristalgroei en een methode van de poedermetallurgie.