Etching method applicable to a semiconductor device fabrication and an MEMS(Micro-Electro-Mechanical System) process, including the steps of forming an etching mask on a substrate, forming a plurality of patterns in the etching mask corresponding to depths of the plurality of trenches; and etching the substrate using the etching mask having the plurality of patterns formed therein, whereby eliminating an alignment error in respective photolithography, that permits to form a precise structure, simplify a fabrication process, and reduce a production cost.

Radierung Methode anwendbar auf eine Halbleiterelementherstellung und ein MEMS(Micro-Electro-Mechanischer System) Prozeß, einschließlich die Schritte der Formung einer Radierung Schablone auf einem Substrat, eine Mehrzahl der Muster in der Radierung Schablone bildend, die Tiefen der Mehrzahl der Gräben entspricht; und Radierung das Substrat mit der Radierung Schablone, welche die Mehrzahl der Muster darin gebildet hat, hingegen, eine Ausrichtung beseitigend in der jeweiligen photolithographie, die ermöglicht, um eine exakte Struktur zu bilden, einen Herstellung Prozeß zu vereinfachen, und Produktion Kosten zu verringern.