A magnetoresistive sensor according to the present invention has a
spin-valve film structure which includes an underfilm, a first
ferromagnetic film, a conductive film, a second ferromagnetic film, an
antiferromagnetic film and a protective film. One surface of the first
ferromagnetic film is adjacent to the one surface of the underfilm, and
the one surface of the conductive film is adjacent to the other surface of
the first ferromagnetic film. One surface of the second ferromagnetic film
is adjacent to the other surface of the conductive film. One surface of
the antiferromagnetic film adjacent to the other surface of the second
ferromagnetic film, and thus, the antiferromagnetic film is bonded to the
second ferromagnetic film with exchange interaction. One surface of the
protective film is adjacent to the other surface of the antiferromagnetic
film. The underfilm has a face centered cubic crystal structure, and is
oriented in the (111) plane direction. Then, the distance between the
adjacent (111) planes of the spin-valve film structure except the
antiferromagnetic film is within 0.2050-0.2064 nm.
Une sonde magnétorésistante selon la présente invention a une structure de film de tourner-valve qui inclut un underfilm, un premier film ferromagnétique, un film conducteur, un deuxième film ferromagnétique, un film antiferromagnetic et un film protecteur. Une surface du premier film ferromagnétique est à côté de l'une surface de l'underfilm, et l'une surface du film conducteur est à côté de l'autre surface du premier film ferromagnétique. Une surface du deuxième film ferromagnétique est à côté de l'autre surface du film conducteur. Une surface du film antiferromagnetic à côté de l'autre surface du deuxième film ferromagnétique, et ainsi, le film antiferromagnetic est collée sur le deuxième film ferromagnétique avec l'interaction d'échange. Une surface du film protecteur est à côté de l'autre surface du film antiferromagnetic. L'underfilm a une structure en cristal cubique centrée par visage, et est orienté dans (les 111) directions plates. Puis, la distance entre (les 111) plans adjacents de la structure de film de tourner-valve excepté le film antiferromagnetic est à moins de 0.2050-0.2064 nm.
