An integrated semiconductor MEMS detector device includes a piezo-resistive detector located at a fixed end of a cantilever, a bi-layer resonance actuator including two thin layer materials having different thermal expansion coefficients, wherein one of the actuator layers serves as a heating element and the other serves as insulating layer between the heating element layer and the cantilever, and a sensing element located at the free end of the cantilever, which serves, dependent on the particular application, as a gravitational mass, an absorber of energy, a gas- or vapor-adsorber, etc. Registration of the resonance frequency of the free end of the cantilever is performed both before and after an interaction (e.g., exposure to energy, materials/mass changes due to chemical reactions or/and physical interactions, etc.) and the change in resonance frequency due to the interaction is used to determine a parameter associated with the interaction, such as for example, an amount of radiation absorbed or an amount of a substance adsorbed/desorbed. The heating element of the bi-layer actuator is powered by an alternating current (a.c.) source so as to create a stable vibration that is measured by the piezo-detector (e.g., piezo-resistor) to thereby register the resonance frequency peak.

Um dispositivo integrado do detetor do semicondutor MEMS inclui um detetor piezo-resistive situado em um fim fixo de um cantilever, um atuador do resonance da bi-camada including dois materiais finos da camada que têm coeficientes diferentes da expansão térmica, wherein uma das camadas do atuador serve como um elemento de heating e a outra serve como a camada isolando entre a camada do elemento de heating e o cantilever, e um elemento detetando situado no fim livre do cantilever, que servem, dependente da aplicação particular, como uma massa gravitacional, um absorvente da energia, um gás ou um vapor-vapor-adsorber, etc.. O registo da freqüência do resonance do fim livre do cantilever é executado before.and.after uma interação (por exemplo, exposição à energia, as mudanças de materials/mass devido às reações químicas or/and às interações físicas, etc..) e a mudança na freqüência do resonance devido à interação é usada determinar um parâmetro associado com a interação, como para o exemplo, uma quantidade de radiação absorvida ou uma quantidade de uma substância adsorbed/desorbed. O elemento de heating do atuador da bi-camada powered por uma corrente alterna (a C. A..) fonte para criar uma vibração estável que seja medida pelo piezo-detetor (por exemplo, piezo-resistor) para registar desse modo o pico da freqüência do resonance.