A process for forming a sacrificial collar (116) on the top portion of a deep trench (114). A nitride layer (116) is deposited within the trench (114). A semiconductor layer (120) is deposited over the nitride layer (116). A top portion of the semiconductor layer (120) is doped to form doped semiconductor layer (124). Undoped portions (120) of the semiconductor layer are removed, and the doped semiconductor layer (124) is used to pattern the nitride layer (116), removing the lower portion of nitride layer (116) from within deep trenches (114) and leaving a sacrificial collar (116) at the top of the trenches (114).

Μια διαδικασία για ένα θυσιαστικό περιλαίμιο (116) στην κορυφαία μερίδα μιας βαθιάς τάφρου (114). Ένα στρώμα νιτριδίων (116) κατατίθεται μέσα στην τάφρο (114). Ένα στρώμα ημιαγωγών (120) κατατίθεται πέρα από το στρώμα νιτριδίων (116). Μια κορυφαία μερίδα του στρώματος ημιαγωγών (120) ναρκώνεται για να διαμορφώσει το ναρκωμένο στρώμα ημιαγωγών (124). Οι undoped μερίδες (120) του στρώματος ημιαγωγών αφαιρούνται, και το ναρκωμένο στρώμα ημιαγωγών (124) χρησιμοποιείται για να διαμορφώσει το στρώμα νιτριδίων (116), αφαιρώντας τη χαμηλότερη μερίδα του στρώματος νιτριδίων (116) από μέσα από τις βαθιές τάφρους (114) και αφήνοντας ένα θυσιαστικό περιλαίμιο (116) στην κορυφή των τάφρων (114).