A magnetic memory with a uniform magnetic environment is disclosed. The magnetic memory includes dummy magnetic cells that are electrically inactive but have magnetic properties that are substantially identical to active magnetic memory cells within the magnetic memory. The active magnetic memory cells are arranged in rows and columns of an array. Some of the magnetic memory cells are positioned in an interior of the array and are surrounded on all sides by adjacent magnetic memory cells so that a cell in an interior position is exposed to a first uniform magnetic environment. Other magnetic memory cells are positioned at a perimeter of the array. The dummy magnetic cells are positioned adjacent to the magnetic memory cells at the perimeter so that the perimeter magnetic memory cells are exposed to a second uniform magnetic field that is substantially identical to the first uniform magnetic environment. As a result, the magnetic memory has a uniform magnetic environment across the entirety of the array and the switching characteristics of the magnetic memory cells within the array have a tight distribution. The dummy magnetic cells can be positioned so that the magnetic memory cells at the perimeter of the array are symmetrically surrounded by dummy magnetic cells and magnetic memory cells.

Een magnetisch geheugen met een eenvormig magnetisch milieu wordt onthuld. Het magnetische geheugen omvat proef magnetische cellen die zijn elektrisch inactief maar magnetische eigenschappen hebben die aan actieve magnetische geheugencellen binnen het magnetische geheugen wezenlijk identiek zijn. De actieve magnetische geheugencellen worden geschikt in rijen en kolommen van een serie. Enkele magnetische geheugencellen worden geplaatst in een binnenland van de serie en aan alle kanten door aangrenzende magnetische geheugencellen omringd zodat een cel in een binnenlandse positie aan een eerste eenvormig magnetisch milieu wordt blootgesteld. Andere magnetische geheugencellen worden geplaatst bij een perimeter van de serie. De proef magnetische cellen worden geplaatst naast de magnetische geheugencellen bij de perimeter zodat de cellen van het perimeter magnetische geheugen aan een tweede eenvormig magnetisch gebied worden blootgesteld dat aan het eerste eenvormige magnetische milieu wezenlijk identiek is. Dientengevolge, heeft het magnetische geheugen een eenvormig magnetisch milieu over de totaliteit van de serie en de omschakelingskenmerken van de magnetische geheugencellen binnen de serie een strakke distributie hebben. De proef magnetische cellen kunnen worden geplaatst zodat de magnetische geheugencellen bij de perimeter van de serie symmetrisch door proef magnetische cellen en magnetische geheugencellen worden omringd.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Reduction of data dependent power supply noise when sensing the state of a memory cell

> Process for isomerizing aromatic C8 cuts in the presence of a catalyst based on mordenite containing at least one group VIII metal and at least one group III metal

> (none)

~ 00047