A high density plasma forming apparatus is configured to sputter material from a target unto a substrate. The apparatus comprises a process chamber, a target mounted within the process chamber, and a substrate mounted within the process chamber and configured to receive material sputtered from the target. The apparatus further includes a magnetic field generator by which the plasma may be directed unto the target, a side arm open to the process chamber, and a radio frequency antenna for forming a plasma in the side arm. The radio frequency antenna is a helical coil wound around the external surface of the side arm. In use, the plasma generated within the side arm enters the process chamber in a first direction and is deflected from an angle from the first direction within the process chamber.

Ein hohes Dichteplasma, das Apparat bildet, wird zusammengebaut, um Material von einem Ziel an ein Substrat zu spritzen. Der Apparat enthält einen Prozeßraum, ein Ziel, das innerhalb des Prozeßraumes angebracht werden, und ein Substrat, das innerhalb des Prozeßraumes angebracht wird und zusammengebaut ist, um das Material zu empfangen, das vom Ziel gespritzt wird. Der weitere Apparat schließt ein magnetisches auffangen Generator mit ein, durch den das Plasma an das Ziel, einen seitlichen Arm, der zum Prozeßraum geöffnet sind, und eine Hochfrequenzantenne für die Formung eines Plasmas im seitlichen Arm verwiesen werden kann. Die Hochfrequenzantenne ist eine schraubenartige Spule, die um die externe Oberfläche des seitlichen Armes verwundet wird. Im Gebrauch trägt das Plasma, das innerhalb des seitlichen Armes erzeugt wird, den Prozeßraum in einer ersten Richtung ein und wird von einem Winkel von der ersten Richtung innerhalb des Prozeßraumes abgelenkt.