The invention pertains to semiconductor processing methods of implanting dopants into semiconductor substrates. In one aspect, the invention includes, a semiconductor processing method comprising: a) forming an organic layer over a semiconductive substrate; and b) implanting a conductivity-enhancing dopant through the organic layer and into the semiconductive substrate. In another aspect, the invention includes a semiconductor processing method comprising: a) providing a semiconductive substrate and defining source and drain locations within the semiconductive substrate; b) forming an organic layer over the source and drain locations; c) implanting a conductivity-enhancing dopant through the organic layer and into the source and drain locations to form source and drain implant regions within the source and drain locations, respectively; and d) forming a transistor gate proximate the source and drain implant regions. In another aspect, the invention includes a semiconductor processing method comprising: a) forming a transistor gate over a semiconductive substrate and defining source/drain locations within the semiconductive substrate proximate the transistor gate; b) forming a polyimide layer over the transistor gate and over the source/drain locations; c) depositing photoresist over the polyimide layer; d) patterning the photoresist to form openings over the source/drain locations; and e) implanting a conductivity-enhancing dopant into the openings, through the polyimide layer and into the source/drain locations.

De uitvinding behoort halfgeleidertot verwerkingsprocédés om additieven in halfgeleidersubstraten te inplanteren. In één aspect, omvat de uitvinding, een halfgeleiderverwerkingsprocédé bestaand uit: a) het vormen van een organische laag over een semiconductive substraat; en b) inplanterend een geleidingsvermogen-verbeterend additief door de organische laag en in het semiconductive substraat. In een ander aspect, omvat de uitvinding een halfgeleiderverwerkingsprocédé bestaand uit: a) verstrekkend een semiconductive substraat en bepalend bron en afvoerkanaalplaatsen binnen het semiconductive substraat; b) het vormen van een organische laag over de bron en afvoerkanaalplaatsen; c) inplanterend een geleidingsvermogen-verbeterend additief door de organische laag en in de bron en afvoerkanaalplaatsen om bron en afvoerkanaalimplant gebieden binnen de bron en afvoerkanaalplaatsen te vormen, respectievelijk; en d) vormt een naburige transistorpoort de bron en afvoerkanaalimplant gebieden. In een ander aspect, omvat de uitvinding een halfgeleiderverwerkingsprocédé bestaand uit: a) vormt een transistorpoort over een semiconductive substraat en bepalend bron/afvoerkanaalplaatsen binnen het semiconductive naburige substraat de transistorpoort; b) vormt een polyimidelaag over de transistorpoort en over de bron/afvoerkanaalplaatsen; c) deponerende photoresist meer dan de polyimidelaag; d) het vormen van photoresist om openingen over de bron/afvoerkanaalplaatsen te vormen; en e) inplanterend een geleidingsvermogen-verbeterend additief in de openingen, door de polyimidelaag en in de bron/afvoerkanaalplaatsen.