A light emitting device includes an LED chip fixed to an electrode body via a conductive layer of In or an In alloy. The conductive layer is in ohmic-contact with an n-type ZnSe crystal substrate of the LED chip. To make the device, In or an In alloy is melted on the electrode body, the ZnSe substrate is placed directly on the melted In or In alloy and then subjected to at least one of vibration and pressure to achieve a good bond and ohmic contact between the In or In alloy and the ZnSe substrate.

Een licht uitzendend apparaat omvat een LEIDENE spaander binnen vast aan een elektrodenlichaam via een geleidende laag van of legeer binnen. De geleidende laag is in ohmic-contact met een n-type ZnSe kristalsubstraat van de LEIDENE spaander. Het apparaat, binnen of een binnen legering wordt maken gesmolten op het elektrodenlichaam, wordt het substraat ZnSe direct op gesmolten in of in legering en dan onderworpen aan minstens één van trilling en druk geplaatst om een goede band en ohmic contact tussen te bereiken binnen of in legering en het substraat ZnSe.