The invention provides coated optical lithography elements and methods of coating optical elements, and particularly optical photolithography elements for use in below 240 nm optical photolithography systems utilizing vacuum ultraviolet light (VUV) lithography wavelengths no greater than about 193 nm, such as VUV projection lithography systems utilizing wavelengths in the 193 nm or 157 nm region. The optical devices manipulate vacuum ultraviolet lithography light less than 250 nm utilizing a deposited silicon oxyfluoride film. The deposited silicon oxyfluoride optical coating assists in the manipulation of incident light and protects the underlying optical materials, layers, and surfaces.

L'invention fournit les éléments de lithographie et les méthodes optiques enduites d'enduire les éléments optiques, et en particulier les éléments optiques de photolithographie pour l'usage dedans en-dessous de 240 systèmes optiques de photolithographie de nm utilisant des longueurs d'onde de lithographie de la lumière UV de vide (VUV) aucuns environ 193 plus grands que nm, tel que des systèmes de lithographie de projection de VUV utilisant des longueurs d'onde dans les 193 nm ou la région de 157 nm. Les circuits optiques manoeuvrent la lumière ultra-violette moins de 250 nm de lithographie de vide utilisant un film déposé d'oxyfluorure de silicium. L'enduit optique déposé d'oxyfluorure de silicium aide à la manipulation de la lumière d'incident et protège les matériaux, les couches, et les surfaces optiques fondamentaux.