Methods of forming thin films include forming a first layer comprising a first element that is chemisorbed to a surface of a substrate, by exposing the surface to a first source gas having molecules therein that comprise the first element and a halogen. A step is then performed to expose the first layer to an activated hydrogen gas so that halogens associated with the first layer become bound to hydrogen provided by the activated hydrogen gas. The first layer may then be converted to a thin film comprising the first element and a second element, by exposing a surface of the first layer to a second source gas having molecules therein that comprise the second element.

Methoden der Formung der Dünnfilme schließen die Formung einer ersten Schicht ein, die ein erstes Element enthält, das chemisorbed zu einer Oberfläche eines Substrates ist, indem es darin die Oberfläche einem ersten Quellaussetzt gas, das Moleküle hat, die das erste Element und ein Halogen enthalten. Ein Schritt wird dann durchgeführt, um die erste Schicht einem aktivierten Wasserstoffgas auszusetzen, damit Halogene mit der ersten Schicht werden Grenze zum Wasserstoff verbanden, der vom aktivierten Wasserstoffgas bereitgestellt wurde. Die erste Schicht kann in einen Dünnfilm dann umgewandelt werden, der das erste Element und ein zweites Element enthält, durch eine Oberfläche der ersten Schicht bis des Zweitlieferantgases darin herausstellen, die Moleküle haben, die das zweite Element enthalten.