A light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device of a double-heterostructure. The double-heterostructure includes a light-emitting layer formed of a low-resistivity In.sub.x Ga.sub.1-x N (0 Un gallio luminescente nitruro-ha basato il dispositivo a semiconduttore compound di un'doppio-eterostruttura. L'doppio-eterostruttura include uno strato luminescente formato di una basso-resistività In.sub.x Ga.sub.1-x la N (0