An improved MR sensor has a ferromagnetic free layer whose magnetization is
stabilized by an in-stack three layers combination, which including an
auxiliary ferromagnetic layer proximate the ferromagnetic free layer, a
non-magnetic spacer layer disposed between the ferromagnetic free layer
and the auxiliary ferromagnetic layer, and a pinning layer adjacent to the
auxiliary ferromagnetic layer. The pinning layer is directly
exchange-coupled to the auxiliary ferromagnetic layer such that the
magnetization of the auxiliary ferromagnetic layer is pinned. The
non-magnetic spacer layer is made of a material, such as Ru, which induces
an anti-ferromagnetic exchange coupling between the ferromagnetic free
layer and the auxiliary ferromagnetic layer. The magnetization of the
ferromagnetic free layer is stabilized in a single-domain state by the
combination of the anti-ferromagnetic exchange-coupling and magnetostatic
coupling between the ferromagnetic free layer and the auxiliary
ferromagnetic layer.
Un SIG. migliorato sensore ha uno strato libero ferromagnetico di cui la magnetizzazione è stabilizzata dall'in-impila tre strati di combinazione, che compreso uno strato ferromagnetico ausiliario prossimo lo strato libero ferromagnetico, uno strato non magnetico del distanziatore disposto di fra lo strato libero ferromagnetico e lo strato ferromagnetico ausiliario e uno strato appuntante adiacente allo strato ferromagnetico ausiliario. Lo strato appuntante direttamente scambi-è accoppiato allo strato ferromagnetico ausiliario tali che la magnetizzazione dello strato ferromagnetico ausiliario è appuntata. Lo strato non magnetico del distanziatore è fatto di un materiale, quale Ru, che induce un accoppiamento anti-ferromagnetico di scambio fra lo strato libero ferromagnetico e lo strato ferromagnetico ausiliario. La magnetizzazione dello strato libero ferromagnetico è stabilizzata in un singolo-dominio dichiara tramite la combinazione dell'scambi-accoppiamento anti-ferromagnetico e dell'accoppiamento magnetostatico fra lo strato libero ferromagnetico e lo strato ferromagnetico ausiliario.
