Within a series of chemical mechanical polish (CMP) planarizing methods for forming a series of damascene structures within a series of microelectronic fabrications, there is employed at least one lateral offset width between: (1) a sidewall of a patterned dielectric layer and an edge of a substrate; (2) a sidewall of a patterned conductor layer and a sidewall of a patterned dielectric layer; and (3) a sidewall of a patterned second dielectric layer and a sidewall of a first dielectric layer. By employing the at least one lateral offset, there is provided the series of damascene structures with inhibited physical degradation of a patterned dielectric layer when forming within an aperture defined by the patterned dielectric layer a chemical mechanical polish (CMP) planarized patterned conductor layer.

Μέσα σε μια σειρά χημικών μηχανικών planarizing μεθόδων στιλβωτικής ουσίας (CMP) για μια σειρά δομών damascene μέσα σε μια σειρά μικροηλεκτρονικών fabrications, υπάρχει τουλάχιστον ένα πλευρικό πλάτος όφσετ μεταξύ: (1) sidewall ενός διαμορφωμένου διηλεκτρικού στρώματος και μια άκρη ενός υποστρώματος (2) sidewall ενός διαμορφωμένου στρώματος αγωγών και sidewall ενός διαμορφωμένου διηλεκτρικού στρώματος και (3) sidewall ενός διαμορφωμένου δεύτερου διηλεκτρικού στρώματος και sidewall ενός πρώτου διηλεκτρικού στρώματος. Με τη χρησιμοποίηση του τουλάχιστον ενός πλευρικού τον όφσετ, παρέχεται η σειρά δομών damascene με την εμποδισμένη φυσική υποβάθμιση ενός διαμορφωμένου διηλεκτρικού στρώματος κατά διαμόρφωση μέσα σε ένα άνοιγμα που καθορίζεται από το διαμορφωμένο διηλεκτρικό στρώμα που μια χημική μηχανική στιλβωτική ουσία (CMP) το διαμορφωμένο στρώμα αγωγών.