The specification describes techniques for wire bonding gold wires to copper metallization in semiconductor integrated circuits. A barrier layer is formed on the copper, and an aluminum bonding pad is formed on the barrier layer. Gold wire is then thermocompression bonded to the aluminum pad.

Η προδιαγραφή περιγράφει τις τεχνικές για το καλώδιο που συνδέει τα χρυσά καλώδια με την επιμετάλλωση χαλκού στα ολοκληρωμένα κυκλώματα ημιαγωγών. Ένα στρώμα εμποδίων διαμορφώνεται στο χαλκό, και ένα συνδέοντας μαξιλάρι αργιλίου διαμορφώνεται στο στρώμα εμποδίων. Το χρυσό καλώδιο είναι έπειτα thermocompression που συνδέεται με το μαξιλάρι αργιλίου.