A low power, nonvolatile microelectromechanical memory cell stores data.
This memory cell uses a pair of cantilevers, to store a bit of
information. The on and off state of this mechanical latch is switched by
using, for example, electrostatic forces applied sequentially on the two
cantilevers. The cantilevers are partially overlapping. Changing the
relative position of the cantilevers determines whether they are
electrically conducting or not. One state represents a logical "1". The
other state represents a logical "0". After a bit of data is written, the
cantilevers are locked by mechanical forces inherent in the cantilevers
and will not change state unless a sequential electrical writing signal is
applied. The sequential nature of the required writing signal makes
inadvertent or noise related data corruption highly unlikely. This MEMS
memory cell can be implemented, for example, using a
three-polysilicon-layer surface micro-machining process. The mechanical
nature of the memory cell makes the cell immune to radiation. The cell is
compatible with existing VLSI processes. Therefore monolithic memory
devices comprising, for example, a plurality of the memory cells,
read/write circuitry, and I/O circuitry, can be made using inexpensive,
standard processes. The memory devices can be used in almost any
electronic device requiring memory. For example the memory device is used
in document processors, cell phones and satellites.
Низкая сила, слаболетучий microelectromechanical ячейкы памяти хранит данные. Этот ячейкы памяти использует пару cantilevers, для того чтобы хранить немного информация. On and off положение этой механически защелки переключено путем использование, например, электростатических усилий приложенных последовательн на 2 cantilevers. Cantilevers частично перекрывают. Изменяющ относительное положение cantilevers обусловливает дирижируют ли они электрически или не. Одно положение представляет логически "1". Другое положение представляет логически "0". После того как немного данные написаны, cantilevers зафиксированы механически усилиями своиственными в cantilevers и не изменят положение если не приложить последовательный электрический сигнал сочинительства. Последовательная природа необходима сигнала сочинительства делает невольное или шумом отнесенное развращение данных высоки маловероятное. Этот ячейкы памяти MEMS можно снабдить, например, использующ процесс 3-полысиличон-slo4 поверхностный микро--podverga4 механической обработке. Механически природа ячейкы памяти делает клетку иммунным к радиации. Клетка совместима с существуя процессами vlsi. Поэтому монолитовые приспособления памяти состоя из, например, множественность ячейкы памяти, read/write сети, и сети I/O, можно сделать использующ недорогие, стандартные процессы. Приспособления памяти можно использовать в почти любом электронном приспособлении требуя памяти. Например приспособление памяти использовано в обработчиках документа, телефонах клетки и спутниках.
