An improved and novel magnetic element and fabrication method. The magnetic
element (10;30) including a bottom pinned ferromagnetic layer (12;32) and
a top pinned ferromagnetic layer (20;40) fabricated antiparallel to one
another. The magnetic element (10;30) further including a bottom tunnel
barrier layer (14;34), a free ferromagnetic layer (16;46 and 48) and a top
tunnel barrier layer (18;38) formed between the bottom pinned
ferromagnetic layer (12;32) and the top pinned ferromagnetic layer
(20;40). The structure is defined as including two (2) tunnel barrier
layers in which one tunnel barrier layer is normal (18) and one is
reversed (14), or a structure in which the two tunnel barrier layers are
of the same type (34; 38) with the structure further includes a SAF
structure (36) to allow for consistently changing magnetoresistance ratios
across both tunnel barriers. The magnetic element (10;30) having an
improved magnetoresistance ratio and a decrease in voltage dependence.
Un método magnético mejorado y de la novela del elemento y de la fabricación. El elemento magnético (10;30) incluyendo una capa ferromagnética fijada fondo (12;32) y una tapa fijó el antiparallel fabricado ferromagnético a uno otro de la capa (20;40). El elemento magnético (10;30) más lejos incluyendo una capa de barrera inferior del túnel (14;34), una capa ferromagnética libre (16;46 y 48) y una capa de barrera superior del túnel (18;38) formó entre la capa ferromagnética fijada fondo (12;32) y la tapa fijó la capa ferromagnética (20;40). Se define la estructura como incluyendo dos (2) capas de barrera del túnel en las cuales una capa de barrera del túnel es el normal (18) y se invierte uno (14), o una estructura en la cual las dos capas de barrera del túnel están del mismo tipo (34; 38) con la estructura más futura incluye una estructura de SAF (36) para permitir cocientes de la magnetorresistencia constantemente que cambian a través de ambas barreras del túnel. El elemento magnético (10;30) que tiene un cociente mejorado de la magnetorresistencia y una disminución de la dependencia del voltaje.
