An electron emission light-emitting device comprises an electron emission device and a fluorescent material layer formed on the thin-film metal. The electron emission device comprises an electron-supply layer made of semiconductor formed on an ohmic electrode; an insulator layer formed on the electron-supply layer; and a thin-film metal electrode formed on the insulator layer. The electron emission light-emitting device emits light when an electric field is applied between the electron-supply layer and the thin-film metal.

Приспособление излучения электрона светоиспускающое состоит из приспособления излучения электрона и дневного материального слоя сформированных на тонкопленочном металле. Приспособление излучения электрона состоит из электрон-postavl4et слой сделанный из сформированного полупроводника на омовском электроде; слой изолятора сформировал на электрон-postavl4et слой; и тонкопленочный электрод металла сформировал на слое изолятора. Приспособление излучения электрона светоиспускающое испускает свет когда электрическое поле приложено между электрон-postavl4et слой и тонкопленочный металл.